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题名:
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氮化镓与碳化硅功率器件 [ 专著] dan hua jia yu tan hua gui gong lv qi jian / (意)毛里奇奥·迪保罗·埃米利奥(Maurizio Di Paolo Emilio)著 , 邓二平，吴立信，丁立健译 |
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ISBN:
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978-7-122-47754-5 价格： CNY99.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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195页 图 26cm |
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出版发行:
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出版地： 北京 出版社： 化学工业出版社 出版日期： 2025 |
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内容提要:
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本书阐释了氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)半导体的原理、制造工艺、特性表征、市场现状以及针对关键应用的设计方法。针对GaN器件，从材料特性、芯片设计、制造工艺和外特性各方面进行分析，介绍了仿真手段和各种典型应用，最后还介绍了目前主流的技术和GaN公司。针对SiC器件，主要介绍了芯片工艺、芯片技术、可靠性等，并对核心应用，如新能源汽车、储能等方面进行了介绍。 |
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主题词:
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功率半导体器件 |
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中图分类法:
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TN303 版次： 5 |
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主要责任者:
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迪保罗·埃米利奥 di bao luo ai mi li ao 著 |
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次要责任者:
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邓二平 deng er ping 译 |
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次要责任者:
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吴立信 wu li xin 译 |
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次要责任者:
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丁立健 ding li jian 译 |