题名:
IGBT场效应半导体功率器件导论   / 袁寿财 ,
ISBN:
978-7-03-020041-9 价格: CNY38.00
载体形态:
209页 24cm
出版发行:
出版地: 北京 出版社: 科学出版社 出版日期: 20070101
内容提要:
本书以新一代半导体功率器件IGBT为主线,系统地论述了场效应半导体功率器件的基础理论和工艺制作方面的知识,内容包括器件的原理、模型、设计、制作工艺及应用等,重点讨论IGBT,同时对其他器件也作了简单介绍 
主题词:
绝缘栅场效应晶体管  
中图分类法:
TN386.2 版次: